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多层双晶片

       德瓷技术有限公司压电双晶片由多层共烧压电陶瓷层构成,陶瓷层上半部分的偏压控制不受陶瓷层下半部分偏压的影响。施加在陶瓷层上的电压升高,陶瓷层的长度也会随之变长。当上下陶瓷层的延长量不同时,双晶片的自由端就会产生位移。

多层全陶瓷技术

亚微米级分辨率

低压驱动,大出力

低功耗,抗磁场干扰

可真空环境使用

尺寸/电压可定制



多层双晶片

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多层压电陶瓷双晶片

压电双晶片

压电双晶片由多层共烧压电陶瓷层构成,陶瓷层上半部分的偏压控制不受陶瓷层下半部分偏压的影响。施加在陶瓷层上的电压升高,陶瓷层的长度也会随之变长。当上下陶瓷层的延长量不同时,双晶片的自由端就会产生位移。

德瓷技术有限公司提供压电双晶片的自由端可以弯曲产生位移,位移的幅度和方向与施加的偏压具有函数关系。它们可在引线接合、电开关、光束偏移、阀门和加速度传感器等应用中使用。压电双晶片带有三条预装的引线,可选没有基板或预装基板。  

上表面有电连接端,可以连接三个电极,每个电极连接一条引线;连接到红色引线的电极应该施加正偏压,且标记有银色+号。只给上层或下层提供一个偏压,双晶片会在单侧电压控制模式下工作,从而将双晶片的位移限制在一个方向。而给上下层提供不同的偏压时,双晶片的位移可以朝上也可以朝下。请不要在两个引线之间施加超过150 V的偏压,这样会损坏双晶片。

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